一种双面PSD器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种双面PSD器件的制造方法，包括以下步骤：(1)基片选择；(2)初氧；(3)光刻保护环掩模层；(4)氧化扩散一；(5)光刻上电极区掩模层；(6)氧化扩散二；(7)光刻下电极区掩模层；(8)氧化扩散三；(9)光刻光敏区掩模层；(10)氧化扩散四；(11)光刻背面引线孔掩模层；(12)光刻正面引线孔掩模层；(13)正反面溅纯铝；(14)光刻正面铝电极掩模层；(15)光刻背面铝电极掩模层；(16)去除正反面铝电极掩模层，然后合金，完成双面PSD器件的制作。用本发明方法制作出的双面PSD器件，具有很高的灵敏度、良好的瞬态响应特性，分辨率是单面PSD器件分辨率的两倍，器件边缘的线性度也得到了较大提高。

主权项

1.一种双面PSD器件的制造方法，其特征在于包括以下步骤：(1)、基片选择；(2)、基片初步氧化，氧化温度1000℃，氧化时间，10分钟干O₂，20分钟湿O₂，10分钟干O₂，氧化层厚度2000Å；(3)、基片正面通过光刻工艺制作保护环掩模层（3）；(4)、氧化扩散一：a、对保护环部分注磷；b、去除保护环掩模层（3）；c、经氧化，形成保护环（4）；(5)、基片正面通过光刻工艺制作上电极区掩模层（5）；(6)、氧化扩散二：a、对上电极区掩模层中的上电极区注硼；b、去除上电极区掩模层（5）；c、经氧化，形成一对上电极P区；(7)、基片背面通过光刻工艺制作下电极区掩模层（6）；(8)、氧化扩散三：a、对下电极区掩模层中的下电极区注磷；b、去除下电极区掩模层（6）；c、经氧化，形成下电极N区；(9)、基片正面通过光刻工艺制作光敏区掩模层（7）；(10)、氧化扩散四：a、对光敏区掩模层中的光敏区注硼；b、去除光敏区掩模层（7）；c、经氧化，形成光敏区（8）；(11)、通过光刻工艺制作背面引线孔掩模层（10），并腐蚀背面引线孔的N区部分；(12)、通过光刻工艺制作正面引线孔掩模层（9），并腐蚀正面引线孔的P区部分；(13)、正反面溅纯铝：去除正面引线孔掩模层（9）及反面引线孔掩模层（10），然后正反面溅射铝电极层（11）；(14)、通过光刻工艺制作正面铝电极掩模层（12），然后把裸露的铝层腐蚀掉，剩下与P区相连的上电极（13）；(15)、通过光刻工艺制作背面铝电极掩模层（14），然后把裸露的铝层腐蚀掉，剩下与N区相连的下电极（15）；(16)、去除正面铝电极掩模层（12）及反面铝电极掩模层（14），然后合金。