集成电路装置及其形成方法

摘要

本发明提供一种集成电路装置及其形成方法，所述方法包括：提供一半导体基底；在该半导体基底上形成一栅极结构；通过注入一择自实质上由铟与锑所构成的群组的第一元素至邻接该栅极结构的半导体基底的顶部分进行预先非结晶化注入；以及在进行该预先非结晶化注入的步骤之后，注入一不同于该第一元素的第二元素至该半导体基底的顶部分中，其中当该第一元素包括铟时，该第二元素包括一p型元素，且其中当该第一元素包括锑时，该第二元素包括一n型元素。本发明可使集成电路装置具有较高的驱动电流及较低的漏电流。

主权项

一种形成集成电路装置的方法，包括：提供一半导体基底；在该半导体基底上形成一栅极结构；通过注入一择自由铟与锑所构成的群组的第一元素至邻接该栅极结构的半导体基底的顶部分进行预先非结晶化注入；以及在进行该预先非结晶化注入的步骤之后，注入一不同于该第一元素的第二元素至该半导体基底的顶部分中，其中当该第一元素包括铟时，该第二元素包括一p型元素，且其中当该第一元素包括锑时，该第二元素包括一n型元素；其中当该第一元素包括铟时，该第二元素包括硼，而当该第一元素包括锑时，该第二元素包括磷。