具有封端异氰酸酯基且含有硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物

摘要

本发明的课题是提供形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其用于形成抗蚀剂下层膜，该抗蚀剂下层膜可以用作硬掩模或防反射膜。作为本发明的解决问题的方法是，一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，包含：含异氰酸酯基或封端异氰酸酯基的水解性有机硅烷、其水解产物或其水解缩合物。上述水解性有机硅烷以式(1)表示：R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)(式中，R1表示异氰酸酯基、封端异氰酸酯基、或包含它们的有机基团，且末端的N原子或C原子与Si原子结合形成Si-N键或Si-C键，R2表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、链烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，且末端的C原子与Si原子结合形成Si-C键，R3表示烷氧基、酰氧基或卤原子，a表示1或2的整数，b表示0或1的整数，a+b表示1或2的整数。)。

主权项

一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，包含：含异氰酸酯基或封端异氰酸酯基的水解性有机硅烷、其水解产物或其水解缩合物，该水解性有机硅烷包含式(1)的化合物和式(4)的化合物，R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)          式(1)在上式中，R1表示异氰酸酯基、封端异氰酸酯基、或包含它们的有机基团，且通过Si‑N键或Si‑C键与Si原子结合，R2表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、链烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，且通过Si‑C键与Si原子结合，R3表示烷氧基、酰氧基或卤原子，a表示1或2的整数，b表示0或1的整数，a+b表示1或2的整数，R6aSi(R7)4‑a    式(4)在上式中，R6表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、链烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，且通过Si‑C键与Si原子结合，R7表示烷氧基、酰氧基或卤原子，a表示0～3的整数。