发明名称 一种工业硅炉外精炼提纯的方法
摘要 本发明涉及一种工业硅炉外精炼提纯的方法,在工业硅熔体从矿热炉释放到抬包之前,先向抬包中持续通入精炼气体,再释放硅熔体到抬包中进行炉外精炼。采用外置等离子体加热装置对抬包内的工业硅熔体进行加热,使工业硅熔体的炉外精炼温度控制在一定范围内,向抬包中加入精炼剂进行造渣精炼。通过上述炉外精炼过程,可以去除工业硅熔体中包括Al、Ca、Ti、Na、Mg等在内的大部分金属杂质和部分B、P、S、C等非金属杂质,有效提高工业硅产品的品质,获得低硼磷、低金属杂质含量的高品质工业硅产品。本发明具备充分利用和节约能源、生产效率高、基建投资较少、环境无污染等特点。
申请公布号 CN103058199A 申请公布日期 2013.04.24
申请号 CN201310020824.0 申请日期 2013.01.21
申请人 昆明理工大学 发明人 魏奎先;马文会;黄淑萍;谢克强;王统;周阳;伍继君;杨斌;刘大春;戴永年
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种工业硅炉外精炼提纯的方法,其特征在于经过下列各步骤:(1)先向抬包中持续通入压缩空气,再将矿热炉中纯度为98%的硅熔体释放到抬包中,同时利用等离子体对抬包内的硅水进行加热,其中等离子体的功率为60KW,并使工业硅熔体的温度保持在1600℃以上;(2)待步骤(1)升温完毕后,向抬包中加精炼剂,并通入精炼气体,进行炉外吹气、造渣精炼;(3)待步骤(2)精炼完毕后,进行渣硅分离,再进行浇注,即得到高纯度的工业硅。
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