| 发明名称 | 发光二极管芯片 | ||
| 摘要 | 说明了一种具有半导体层序列（2）的发光二极管芯片（1），该半导体层序列具有适合于产生电磁射线（10）的有源层（4），其中该发光二极管芯片（1）在正面具有射线射出面（11），该发光二极管芯片（1）在与射线射出面（11）相对的背面处至少局部地具有包含银的反射镜层（6），其中在反射镜层（6）上设置包含Pt的保护层（7），以及所述保护层（7）具有这种结构，该结构仅在子区域（8）中覆盖反射镜层（7）。 | ||
| 申请公布号 | CN103069590A | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN201180042434.2 | 申请日期 | 2011.08.24 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | K.恩格尔;M.毛特;S.拉梅尔斯贝格尔 |
| 分类号 | H01L33/46(2006.01)I;H01L33/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张涛;刘春元 |
| 主权项 | 一种具有半导体层序列（2）的发光二极管芯片（1），该半导体层序列具有适合于产生电磁射线（10）的有源层（4），其中‑该发光二极管芯片（1）在正面具有射线射出面（11），‑该发光二极管芯片（1）在与射线射出面（11）相对的背面处至少局部地具有包含银的反射镜层（6），‑在反射镜层（6）上设置包含Pt的保护层（7），以及‑所述保护层（7）具有这种结构，该结构仅在子区域（8）中覆盖反射镜层（7）。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||