发明名称 表面改性的硅酸盐发光体
摘要 一种表面改性的硅酸盐发光体包括硅酸盐发光体以及包覆层,包覆层包括以下的至少一种:(a)氟化的包覆层,包括氟化的无机试剂、氟化的有机试剂或者氟化的无机试剂和有机试剂的组合,所述氟化的包覆层产生疏水的表面位点,以及(b)氟化的包覆层和至少一个潮气阻挡层的组合。所述潮气阻挡层包括MgO、Al2O3、Y2O3、La2O3、Gd2O3、Lu2O3和SiO2或者对应的前驱物,包覆层设置在硅酸盐发光体的表面上。
申请公布号 CN103068953A 申请公布日期 2013.04.24
申请号 CN201180039682.1 申请日期 2011.07.29
申请人 首尔半导体株式会社;锂特LP股份有限公司 发明人 李贞勋;沃尔特·特沃斯;贡杜拉·罗斯;德特勒夫·斯塔里克
分类号 C09K11/80(2006.01)I;C09K11/79(2006.01)I;C09K11/59(2006.01)I;C09K11/00(2006.01)I 主分类号 C09K11/80(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 刘灿强;刘奕晴
主权项 一种表面改性的硅酸盐发光体,包括:硅酸盐发光体;以及包覆层,包括以下的至少一种:氟化的包覆层,包括氟化的无机试剂、氟化的有机试剂或者氟化的无机试剂和氟化的有机试剂的组合,所述氟化的包覆层产生疏水的表面位点;以及氟化的包覆层和至少一个潮气阻挡层的组合,所述潮气阻挡层包括MgO、Al2O3、Y2O3、La2O3、Gd2O3、Lu2O3和SiO2或者对应的前驱物,其中,包覆层设置在硅酸盐发光体的表面上。
地址 韩国首尔