| 发明名称 | 超导薄膜用基材、超导薄膜以及超导薄膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及超导薄膜用基材、超导薄膜以及超导薄膜的制造方法，所述超导薄膜用基材的抑制金属元素从基材扩散的效果高且能够提高强制取向层的取向性。超导薄膜用基材(2)具备：含有金属元素的基材(10)；基础层(22)，其形成于该基材(10)的表面上，并且以具有尖晶石型晶体结构的由至少一种过渡金属元素、Mg和氧构成的非取向的尖晶石化合物作为主体；具有双轴取向性的强制取向层(24)，其形成于该基础层(22)的表面上，并且以含有Mg的岩盐型晶体结构的岩盐型化合物作为主体。 | ||
| 申请公布号 | CN103069509A | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN201280002350.0 | 申请日期 | 2012.07.25 |
| 申请人 | 古河电气工业株式会社 | 发明人 | 早濑裕子;福岛弘之;奥野良和;小岛映二;坂本久树 |
| 分类号 | H01B12/06(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01B12/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种超导薄膜用基材，其具备：含有金属元素的基材；基础层，其形成于所述基材的表面上，并且以具有尖晶石型晶体结构的由至少一种过渡金属元素、Mg和氧构成的非取向的尖晶石化合物作为主体；和具有双轴取向性的强制取向层，其形成于所述基础层的表面上，并且以含有Mg的岩盐型晶体结构的岩盐型化合物作为主体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||