电熔丝存储阵列

摘要

本发明公开了一种电熔丝存储阵列以及一种机制，用于重新配置eFuse存储阵列以使得两个或多个相邻eFuse位单元并排放置且共享编程位线。通过允许两个或多个相邻eFuse位单元共享编程位线，编程位线的长度被缩短，这导致编程位线更低的电阻率。编程位线的宽度还可以增加以进一步减小编程位线的电阻率。对于使用低电阻率eFuse的先进eFuse存储阵列来说，需要具有低电阻和高电流的编程位线。

主权项

一种电熔丝(eFuse)存储阵列，包括：多个eFuse位单元，所述多个eFuse位单元的每个eFuse位单元都具有编程晶体管、读取晶体管、和eFuse，其中，所述eFuse的一端连接至所述编程晶体管和所述读取晶体管，以及其中，所述eFuse的另一端连接至编程位线，所述读取晶体管连接至读取位线，其中，第一eFuse位单元和第二eFuse位单元共享第一编程位线，其中，所述第一编程位线连接至所述第一eFuse位单元的eFuse并且还连接至所述第二eFuse位单元的eFuse。