延长寿命的沉积环

摘要

本发明提供一种用于半导体处理腔室的工艺配件。在一个实施例中，工艺配件包括环形沉积环主体，所述环形沉积环主体包含凹入主体的上表面中的凹槽，其中所述凹槽的最低点延伸至环主体厚度的至少一半，所述环主体厚度由顶壁和底壁界定。在另一实施例中，工艺配件包括环形沉积环主体，所述环形沉积环主体包含界定主体上表面的至少一部分的倾斜上壁，其中所述倾斜上壁的顶点自主体的内壁延伸至所述主体的内壁与外壁之间的距离的至少一半。

主权项

一种工艺配件，包含：环形沉积环主体，包含：内壁；外壁；倾斜上壁，所述倾斜上壁界定所述环主体的上表面的至少一部分，且朝着所述外壁向上倾斜；顶壁，所述顶壁定位于所述倾斜上壁与所述外壁之间；底壁，所述底壁与所述顶壁分隔一距离；以及凹槽，所述凹槽凹入所述倾斜上壁与所述内壁之间的所述环主体的所述上表面中，其中所述凹槽的最低点延伸至所述顶壁与所述底壁之间的所述距离的至少一半。