发明名称 |
一种N型太阳能电池及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种N型太阳能电池及其制作方法,所述方法包括:提供一N型硅片,所述N型硅片的正面包括:正面栅线区域以及正面非栅线区域;在所述N型硅片的正面形成掩膜层,所述掩膜层能够阻止P型离子的扩散;去除所述正面栅线区域的掩膜层;对所述N型硅片的正面进行第一次P型掺杂,在所述正面栅线区域形成第一P型掺杂区;去除剩余的掩膜层,对所述正面进行第二次P型掺杂,在所述正面非栅线区域形成第二P型掺杂区,所述第二P型掺杂区的掺杂浓度小于所述第一P型掺杂区的掺杂浓度;对所述N型硅片进行退火处理;在所述N型硅片上形成正面电极结构以及背面电极结构。该方法保证了硅片的机械强度,电池片不易破碎。 |
申请公布号 |
CN103066164A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201310039810.3 |
申请日期 |
2013.01.31 |
申请人 |
英利集团有限公司 |
发明人 |
王英超;熊景峰;胡志岩;李高非;赵文超 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
王宝筠 |
主权项 |
一种N型太阳能电池制作方法,其特征在于,包括:提供一N型硅片,所述N型硅片的正面包括:正面栅线区域以及正面非栅线区域;在所述N型硅片的正面形成掩膜层,所述掩膜层能够阻止P型离子的扩散;去除所述正面栅线区域的掩膜层;对所述N型硅片的正面进行第一次P型掺杂,在所述正面栅线区域形成第一P型掺杂区;去除剩余的掩膜层,对所述正面进行第二次P型掺杂,在所述正面非栅线区域形成第二P型掺杂区,所述第二P型掺杂区的掺杂浓度小于所述第一P型掺杂区的掺杂浓度;对所述N型硅片进行退火处理;在所述N型硅片上形成正面电极结构以及背面电极结构,其中,所述正面电极结构位于所述N型硅片的正面,所述背面电极结构位于所述N型硅片的背面。 |
地址 |
071051 河北省保定市翠园街722号 |