一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法。本发明可以使用大马士革工艺来制造MTJ，避免了蚀刻工艺带来的对器件的损伤和由此付出的昂贵的代价。在一些实施例中，在MTJ的第一部分和第二部分的一部分之间设置间隔物，由此防止了MTJ的隧穿绝缘层在随后的工艺中受到损伤，由此大幅度提高了成品的良率。在另外一些实施例中，本发明还通过改进MTJ的杯形结构来提高信号质量和减小磁力线泄露。

主权项

一种磁隧穿结器件，包括具有多层结构的磁隧穿结，其特征在于：所述磁隧穿结具有多层结构的第一部分，位于所述第一部分上的多层结构的第二部分，以及位于所述第一部分的一部分和第二部分的一部分之间的间隔物。