一种聚二甲基硅氧烷微流控芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种聚二甲基硅氧烷微流控芯片及其制备合方法，其特征在于该聚二甲基硅氧烷微流控芯片由三层基材组成。上层为聚二甲基硅氧烷盖片层，中间层为双面胶层，下层为聚二甲基硅氧烷基底层，微流控芯片的制备是通过将上下两层基材与中间层粘贴而成。其特征步骤依次如下：1)用计算机辅助设计软件设计和绘制微流控芯片的微通道；2)通过微加工技术在芯片基材上加工微通道和进样孔；3)将三层基材对齐、压紧、封合，制得微流控芯片。本发明所提出的聚二甲基硅氧烷微流控芯片的制备无需使用氧等离子体发生器或紫外照射设备，可实现聚二甲基硅氧烷的快速封接。

主权项

一种聚二甲基硅氧烷微流控芯片及其制备合方法，其特征在于该聚二甲基硅氧烷微流控芯片由三层基材组成。上层为聚二甲基硅氧烷盖片层，中间层为双面胶层，下层为聚二甲基硅氧烷基底层，微流控芯片的制备是通过将上下两层基材与中间层粘贴而成。