发明名称 |
检测设备和检测系统 |
摘要 |
本发明提供一种检测设备和检测系统,检测设备包括:晶体管,其配置在基板上;转换元件,其配置在晶体管上并连接至晶体管;电容器,其与转换元件并联连接至晶体管,该电容器在基板和转换元件之间包括:连接至转换元件的欧姆接触部、连接至欧姆接触部的半导体部、以及配置在隔着绝缘层与半导体部和欧姆接触部相对的位置处的导电部;以及电势供给单元,用于向导电部选择性地供给第一电势以在半导体部中积累载荷子,以及向导电部选择性地供给第二电势以耗尽半导体部。由上述方式配置的检测设备能够控制像素的电容,从而实现高的信噪比。 |
申请公布号 |
CN103066083A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201210404438.7 |
申请日期 |
2012.10.22 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
川锅润;望月千织;渡边实;大藤将人;横山启吾;藤吉健太郎;和山弘 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京魏启学律师事务所 11398 |
代理人 |
魏启学 |
主权项 |
一种检测设备,包括:晶体管,其配置在基板上;转换元件,其配置在所述晶体管上并连接至所述晶体管;电容器,其相对于所述晶体管与所述转换元件并列连接,所述电容器在所述基板和所述转换元件之间包括:连接至所述转换元件的欧姆接触部、连接至所述欧姆接触部的半导体部、以及配置在隔着绝缘层与所述半导体部和所述欧姆接触部相对的位置处的导电部;以及电势供给单元,用于向所述导电部选择性地供给用于在所述半导体部中积累载荷子的第一电势以及用于耗尽所述半导体部的第二电势。 |
地址 |
日本东京都大田区下丸子3丁目30番2号 |