半导体器件之重复缺陷的检测方法

摘要

一种半导体器件之重复缺陷的检测方法，包括：步骤S 1：定点扫描；建立定点扫描程式，并选取待测试模块中重复单元的内部区域，以所述电子束缺陷扫描仪能够扫描的最小区域作为扫描单元区域，并设定为缺陷而被检测，拍摄电子显微镜图谱；步骤S2：灰阶样本收集；对步骤S1所述电子显微镜图谱进行灰阶分析，获取典型灰阶分布及其灰阶分布区间，并定义标准灰阶区间；步骤S3：异常半导体器件预报。本发明通过电子束缺陷扫描仪所获得的灰阶收集数据与所述正常半导体器件的标准灰阶区间进行比较，可以有效的预报异常半导体器件，并实现对离子注入工艺产生的重复缺陷进行有效监测，进而为工艺窗口优化与在线监控提供方法论，为半导体在线制造与良率提升提供保障。

主权项

一种半导体器件之重复缺陷的检测方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：定点扫描；所述定点扫描进一步包括，应用电子束缺陷扫描仪在采用正常工艺的半导体器件之金属连接层建立定点扫描程式，并选取待测试模块中重复单元的内部区域，以所述电子束缺陷扫描仪能够扫描的最小区域作为扫描单元区域，所述扫描单元区域通过程式设定为缺陷而被检测，并拍摄电子显微镜图谱；执行步骤S2：灰阶样本收集；所述灰阶样本收集进一步包括，对步骤S1所述的扫描单元区域的电子显微镜图谱进行灰阶分析，获取正常半导体器件的典型灰阶分布及其灰阶分布区间，并定义所述灰阶分布区间为所述正常半导体器件的标准灰阶区间；执行步骤S3：具有重复缺陷的异常半导体器件预报；所述电子束缺陷扫描仪分析待测试半导体器件的灰阶收集数据，将异于所述标准灰阶区间的半导体器件作为真正的缺陷预报。