半导体元件及其制造方法

摘要

本发明一实施例提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括：一半导体基底；一栅极堆叠，位于该半导体基底之上，该栅极堆叠包括一栅极介电层及一栅极电极；一间隙壁，形成于该栅极堆叠的侧壁上，其中该间隙壁的一顶表面高于该栅极堆叠的一顶表面；以及一保护层，位于该栅极堆叠之上，且至少部分填充由位于该栅极堆叠的该顶表面上的该间隙壁所围绕的一空间。本发明增加所生产的半导体元件的整体合格率，且半导体元件具有更高的可靠度。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括：于一半导体基底的一顶表面中的一有源区上形成一栅极堆叠；于该栅极堆叠的侧壁上形成一间隙壁；移除该栅极堆叠的一顶部部分以使该间隙壁的一顶表面高于一最终栅极堆叠的一顶表面，其中该最终栅极堆叠为移除该顶部部分后的该栅极堆叠；以及于该最终栅极堆叠上形成一保护层以至少部分填充由位于该最终栅极堆叠的该顶表面上的该间隙壁所围绕的一空间，还包括：在移除该栅极堆叠的该顶部部分之前，于该半导体基底上及该间隙壁与该栅极堆叠的周围形成一虚置层以保护源极/漏极区，其中所述源极/漏极区形成于该有源区中且邻接该栅极堆叠；在移除该栅极堆叠的该顶部部分之后，移除该虚置层以露出所述源极/漏极区；以及在露出的所述源极/漏极区上进行一硅化工艺，该硅化工艺于该最终栅极堆叠、该间隙壁、及硅化的该源极/漏极区上形成该保护层之前进行。