| 发明名称 |
碳纳米管线尖端的制备方法及场发射结构的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种碳纳米管线尖端的制备方法，其包括：提供一碳纳米管线；以及仅采用扫描功率大于等于1瓦且小于10瓦，及扫描速度小于200毫米/秒的激光烧断所述碳纳米管线，形成一锥形碳纳米管线尖端。本发明还提供一种场发射结构的制备方法。 |
| 申请公布号 |
CN102082051B |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
| 申请号 |
CN201010616298.0 |
申请日期 |
2010.12.30 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
柳鹏;周段亮;范守善 |
| 分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种碳纳米管线尖端的制备方法，其包括：提供一碳纳米管线；以及仅采用扫描功率大于等于1瓦且小于10瓦，及扫描速度小于200毫米/秒的激光烧断所述碳纳米管线，形成一锥形碳纳米管线尖端。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
