相变存储材料及其制备方法

摘要

一种相变存储材料及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在非晶Si-SbxTe1-x材料层上形成富含H的SiNy层，其中1≤y≤1.5；对Si-SbxTe1-x材料层及SiNy层进行快速退火，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料。相较于现有技术，本发明提供的是微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，微晶态的Si晶粒尺寸在3纳米至20纳米左右，缺陷比非晶态Si少，能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。

主权项

一种相变存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成非晶Si‑SbxTe1‑x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在所述非晶Si‑SbxTe1‑x材料层上形成富含H的SiNy层，其中1≤y≤1.5；对所述Si‑SbxTe1‑x材料层及其上的所述SiNy层进行快速退火，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si‑SbxTe1‑x复合相变材料。