| 发明名称 |
Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs à jonction pn, notamment de dispositifs redresseurs à une ou plusieurs plaquettes de redressement en monocristal de silicium |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR1447132(A) |
申请公布日期 |
1966.07.29 |
| 申请号 |
FR19640959261 |
申请日期 |
1964.01.03 |
| 申请人 |
SEMIKRON GESELLSCHAFT FUER GLEICHRICHTERBAU UND ELEKTRONIK M. B. H. |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/495;H01L25/03 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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