包括具有被电隔离的柱的二极管的共享的二极管器件部的叠轨式堆叠的非易失性存储器阵列

摘要

提供了一种集成电路及及其制造方法，该集成电路包括导体之间垂直取向的二极管结构。二端子装置例如无源元件存储器单元可以包括与反熔丝和/和其它状态改变元件串连的二极管操纵元件。所述装置使用柱结构在所述上和下导体组的交点形成。所述柱结构的高度通过每个柱的部分二极管与导体的其中之一形成叠轨式堆叠而被减小。在一实施例中，二极管可以包括第一导电类型的第一二极管器件和第二导电类型的第二二极管器件。所述二极管器件其中之一的一部分被划分为第一和第二部，所述部的其中之一形成为叠轨式堆叠，该部在该叠轨式堆叠与使用柱形成的其它二极管共享该叠轨式堆叠。

主权项

一种集成电路装置，包括：在衬底上方的第一方向延伸的第一导体；包括第二导体和第一二极管器件的第一部的第一组带，所述第一组带在所述衬底上方在第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向基本垂直；和在所述第一导体和所述第一组带之间形成的柱，所述柱包括所述第一二极管器件的第二部、第二二极管器件、和串连于所述第一导体和所述第一组带之间的状态改变元件，其中所述第一二极管器件的第一部和所述第一二极管器件的第二部具有相同的导电类型，其中所述第一二极管器件的第一部包括多晶硅的本征层；并且所述第一二极管器件的第二部包括多晶硅的本征层。