锗硅HBT器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅HBT，在有源区周侧的浅沟槽由上下相连的第一浅沟槽和第二浅沟槽组成，第二浅沟槽位于第一浅沟槽的底部、且第二浅沟槽的宽度小于第一浅沟槽的宽度，在第二浅沟槽的底部和侧部的硅衬底中形成有由第一N型离子注入区组成的赝埋层；赝埋层和集电区在第二浅沟槽的底部和侧部相接触并作为集电极连接层；在赝埋层顶部的浅槽场氧中形成有深孔接触，深孔接触和赝埋层接触并引出集电极。本发明还公开了一种锗硅HBT的制造方法。本发明能提高集电极连接层的厚度、使其杂质分布均匀，能降低集电极连接层电阻和接触电阻且使阻值均匀，从而能提高锗硅HBT的截止频率。

主权项

一种锗硅HBT器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于：所述锗硅HBT器件的集电区由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成，所述集电区深度大于所述浅槽场氧底部的深度、且所述集电区横向延伸进入所述有源区两侧的浅槽场氧底部；所述浅槽场氧填充于浅沟槽中，所述浅沟槽由上下相连的第一浅沟槽和第二浅沟槽组成，所述第二浅沟槽位于所述第一浅沟槽的底部、且所述第二浅沟槽的宽度小于所述第一浅沟槽的宽度，在所述第二浅沟槽的底部和侧部的所述硅衬底中形成有由第一N型离子注入区组成的赝埋层，所述赝埋层作为集电极连接层、且所述赝埋层和所述集电区在所述第二浅沟槽的底部和侧部相接触，在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触，所述深孔接触和所述赝埋层接触并引出集电极。