发明名称 去嵌入的方法
摘要 本发明公开了一种去嵌入的方法,该方法在利用矢量网络分析仪测量测试结构、开路去嵌入结构及短路去嵌入结构在多个不同频率的测试信号下的散射参数的同时,将多个开路去嵌入结构的散射参数及多个短路去嵌入结构的散射参数进行了保存,故在后续获取待测元件在测试信号频率为所述特定频率下的去嵌入散射参数时,不需再对开路去嵌入结构在测试信号频率为所述特定频率下的散射参数进行测量,也不需再对短路去嵌入结构在测试信号频率为所述特定频率下的散射参数进行测量,使去嵌入的方法更为简单,并减少了矢量网络分析仪的占用。当为了更全面的分析待测元件的电压特性时需多次改变所述特定频率,在这种情况下本发明所提供技术方案的效果更为显著。
申请公布号 CN103063999A 申请公布日期 2013.04.24
申请号 CN201210564063.0 申请日期 2012.12.21
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 发明人 廖梦星
分类号 G01R31/27(2006.01)I 主分类号 G01R31/27(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种去嵌入的方法,其特征在于,包括:提供测试结构、开路去嵌入结构及短路去嵌入结构,所述测试结构包括待测元件;矢量网络分析仪产生N个不同频率的测试信号,在所述待测元件输入端被施加第一固定电压、输出端被施加第二固定电压的条件下分别测量测试结构在所述N个不同频率的测试信号下的第一散射参数,分别测量并保存开路去嵌入结构在所述N个不同频率的测试信号下的第二散射参数、短路去嵌入结构在所述N个不同频率的测试信号下的第三散射参数;对N个所述第一散射参数、N个所述第二散射参数及N个所述第三散射参数进行去嵌入处理,以获取N个第一去嵌入散射参数;根据所述N个第一去嵌入散射参数绘制待测元件的频率特性曲线;在矢量网络分析仪产生特定频率的测试信号的条件下,分别测量测试结构在所述待测元件输入端被施加M个不同电压、输出端被施加第三固定电压下的第四散射参数,所述特定频率的测试信号为所述N个不同频率的测试信号中的一个;从保存的N个所述第二散射参数中筛选出当测试信号的频率为所述特定频率时所获取的第二散射参数,将其定义为第二特定散射参数,从保存的N个所述第三散射参数中筛选出当测试信号的频率为所述特定频率时所获取的第三散射参数,将其定义为第三特定散射参数;对第二特定散射参数、第三特定散射参数及M个所述第四散射参数进行去嵌入处理,以获取M个第二去嵌入散射参数;根据所述M个第二去嵌入散射参数绘制待测元件的电压特性曲线。
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