垂直式发光二极管的制造方法

摘要

本发明提供一种垂直式发光二极管的制造方法，包括：步骤A：提供一暂时基板；步骤B：依序披覆一缓冲层、一蚀刻选择层以及一发光单元；步骤C：在该发光单元上披覆一支持基板；步骤D：利用蚀刻方式移除该暂时基板的一第一区块，使该暂时基板剩下一第二区块，再利用干式蚀刻方式移除该第二区块；步骤E：利用干式蚀刻方式移除该缓冲层；步骤F：利用蚀刻方式移除该蚀刻选择层。通过蚀刻方式取代传统激光剥离方式移除该暂时基板，并且利用干式蚀刻移除该缓冲层以及增加设置该蚀刻选择层，使本发明的方法制造出的发光二极管的结构完整且均匀，发光效率高。

主权项

一种垂直式发光二极管的制造方法，包括：步骤A：提供一片暂时基板；步骤B：沿邻近至远离该暂时基板的方向依序披覆一层缓冲层、一层蚀刻选择层以及一个发光单元；步骤C：在该发光单元上披覆一片支持基板；其特征在于，该垂直式发光二极管的制造方法还包括：步骤D：利用蚀刻方式移除该暂时基板的一个第一区块，使该暂时基板剩下一个第二区块，再利用干式蚀刻方式移除该第二区块；步骤E：利用干式蚀刻方式移除该缓冲层；及步骤F：利用蚀刻方式移除该蚀刻选择层；其中，该蚀刻选择层的蚀刻速率为x，该缓冲层的蚀刻速率为y，且y≥1.5x。