发明名称 |
一种小型化多层芯片天线 |
摘要 |
本实用新型涉及一种小型化多层芯片天线,包括介质体和嵌入介质体中的第一焊盘、第二焊盘、第一金属通孔、第二金属通孔、第一曲折金属导线、第二曲折金属导线、第三金属通孔和耦合金属,所述第一焊盘和第二焊盘分别位于介质体底部的两端,第一曲折金属导线和第二曲折金属导线平行并分别位于第一金属通孔、第二金属通孔和第三金属通孔两端并与之连接,第一曲折金属导线和第二曲折金属导线构成电容结构。本实用新型的有益效果是:采用多层金属层结构在很小的体积内使天线实现自谐振和耦合谐振,且通过耦合谐振调谐工作频率,实现电小尺寸,从而使该芯片天线小型化。 |
申请公布号 |
CN202905941U |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201220215164.2 |
申请日期 |
2012.05.14 |
申请人 |
成都成电电子信息技术工程有限公司 |
发明人 |
郑轶;徐自强;金龙;杨国庆;宋世明 |
分类号 |
H01Q1/38(2006.01)I;H01Q9/04(2006.01)I;H01Q1/22(2006.01)I;H01Q1/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01Q1/38(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
周永宏 |
主权项 |
一种小型化多层芯片天线,其特征在于,包括介质体和嵌入介质体中的第一焊盘、第二焊盘、第一金属通孔、第二金属通孔、第一曲折金属导线、第二曲折金属导线、第三金属通孔和耦合金属,所述第一焊盘和第二焊盘分别位于介质体底部的两端,第一曲折金属导线和第二曲折金属导线平行并分别位于第一金属通孔、第二金属通孔和第三金属通孔两端并与之连接,第一曲折金属导线和第二曲折金属导线构成电容结构。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西区大道199号 |