发明名称 |
半导体装置的刷新控制电路和方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体装置的刷新控制电路和方法,所述刷新控制电路包括:第一存储体刷新计数器,其被配置成在刷新操作期间,当第一存储体地址信号被使能时,增大或减小第一刷新地址信号的逻辑值;第二存储体刷新计数器,其被配置成在刷新操作期间,当第二存储体地址信号被使能时,增大或减小第二刷新地址信号的逻辑值;存储体选择单元,其被配置成在刷新操作期间,响应于第一存储体地址信号和第二存储体地址信号而产生第一存储体选择信号和第二存储体选择信号;以及行选择单元,其被配置成响应于第一刷新地址信号和第二刷新地址信号以及第一存储体选择信号和第二存储体选择信号,而产生第一行选择信号和第二行选择信号。 |
申请公布号 |
CN103065676A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201210385055.X |
申请日期 |
2012.10.12 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
李政祐 |
分类号 |
G11C11/406(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/406(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
石卓琼;郭放 |
主权项 |
一种半导体装置的刷新控制电路,包括:第一存储体刷新计数器,所述第一存储体刷新计数器被配置成在刷新操作期间,当第一存储体地址信号被使能时,增大或减小第一刷新地址信号的逻辑值;第二存储体刷新计数器,所述第二存储体刷新计数器被配置成在所述刷新操作期间,当第二存储体地址信号被使能时,增大或减小第二刷新地址信号的逻辑值;存储体选择单元,所述存储体选择单元被配置成在所述刷新操作期间,响应于所述第一存储体地址信号和所述第二存储体地址信号而产生第一存储体选择信号和第二存储体选择信号;以及行选择单元,所述行选择单元被配置成响应于所述第一刷新地址信号和所述第二刷新地址信号以及所述第一存储体选择信号和所述第二存储体选择信号,而产生第一行选择信号和第二行选择信号。 |
地址 |
韩国京畿道 |