发明名称 |
半导体集成电路 |
摘要 |
降低半导体集成电路的耗电量,并降低半导体集成电路中的工作延迟。包括在存储电路中的多个时序电路分别包括:晶体管,该晶体管的沟道形成区使用氧化物半导体形成;以及电容器,该电容器的一个电极电连接到当所述晶体管截止时成为浮动状态的节点。通过将氧化物半导体用于晶体管的沟道形成区,可以实现断态电流(泄漏电流)极小的晶体管。因此,通过在不向存储电路供应电源电压的期间中使该晶体管截止,可以将该期间中的与电容器的一个电极电连接的节点的电位保持为恒定或大致恒定。结果,可以实现上述目的。 |
申请公布号 |
CN103069717A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201180038709.5 |
申请日期 |
2011.07.15 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
小山润 |
分类号 |
H03K19/00(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
鲍进 |
主权项 |
一种半导体集成电路,包括:配置为保持通过算术运算获得的数据的存储电路;以及配置为控制向所述存储电路供应电源电压的电源门控电路,其中,所述存储电路包括:第一时序电路至第n时序电路(n是2以上的自然数);以及配置为使用来自所述第一时序电路至第n时序电路的相应的时序电路的输出信号工作的第一组合电路至第n组合电路,其中,所述第一时序电路至第n时序电路中的k个时序电路(k是1至n的自然数)分别包括:晶体管,该晶体管的沟道区包含氧化物半导体;以及电容器,该电容器的一个电极电连接到当所述晶体管截止时成为浮动状态的节点。 |
地址 |
日本神奈川 |