| 发明名称 | 背照式CMOS影像传感器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，所述背照式CMOS影像传感器的制造方法包括：提供晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括键合在一起的逻辑晶圆及像素晶圆；在所述晶圆键合结构中形成沟槽；对所述沟槽的开口执行圆滑处理；利用电镀工艺填充所述沟槽，形成接触孔。在本发明提供的背照式CMOS影像传感器的制造方法中，对所述沟槽的开口执行圆滑处理，使得所述沟槽的开口变得圆滑，即使得所述沟槽的开口角度变小，由此可以降低沟槽的开口处电镀层的生长速度，从而防止沟槽过早封口的现象，避免了接触孔内形成空洞，提高了接触孔的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103066096A | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN201310032592.0 | 申请日期 | 2013.01.28 |
| 申请人 | 豪威科技（上海）有限公司 | 发明人 | 费孝爱;洪齐元 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括键合在一起的逻辑晶圆及像素晶圆；在所述晶圆键合结构中形成沟槽；对所述沟槽的开口执行圆滑处理；利用电镀工艺填充所述沟槽，形成接触孔。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园上科路88号 | ||