| 发明名称 | 阻性存储设备的写入和擦除方案 | ||
| 摘要 | 一种用于编程双端阻性存储设备的方法，该方法包括：将偏置电压施加到设备的阻性存储单位的第一电极；测量流过单位的电流；以及如果所测量的电流等于或大于预定值，则停止施加偏置电压。 | ||
| 申请公布号 | CN103069495A | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN201180039621.5 | 申请日期 | 2011.06.14 |
| 申请人 | 科洛斯巴股份有限公司 | 发明人 | H·纳扎里安;赵星贤 |
| 分类号 | G11C13/00(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 许向彤 |
| 主权项 | 一种用于编程双端阻性存储设备的方法，该方法包括：将偏置电压施加到所述设备的阻性存储单位的第一电极；测量流过所述单位的电流；以及如果所测量的电流等于或大于预定值，则开始终止过程以停止施加该偏置电压。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||