互补金氧半导体可抹除程式化唯读记忆体及电子式可抹除程式化唯读记忆体装置及可程式化互补金氧半导体反相器

摘要

一种CMOS EPROM、EEPROM或反相器装置包括一具有一薄闸极介电层之nFET装置及一与该nFET装置并列的具有一厚闸极介电层及一浮动闸电极之pFET装置。该厚闸极介电层大体上厚于该薄闸极介电层。一连接至两个FET装置之共同汲极节点在一记忆体装置之状况下不具有外部连接且在一反相器之状况下具有一外部连接。具有外部电路连接至两个FET装置之源极区域及至该nFET装置之闸电极。该pFET装置与该nFET装置可为平面的、垂直的或FinFET装置。