非挥发性记忆体胞元及其制造方法

摘要

本发明提出一种非挥发性记忆体胞元及其制造方法，该非挥发性记忆体胞元包含一第一电极、一第二电极以及配置于该第一电极和该第二电极之间的一离子导体。该第二电极在靠近该第一电极的一表面上具有一凸出区域，该凸出区域与该第一电极之间的一距离为该第一电极和该第二电极之间的一最短距离。