| 摘要 |
一种键合晶圆的制造方法，包括：由作为主动层之晶圆表面植入氧离子，以在作为主动层之晶圆内的特定位置形成氧离子植入层的步骤；将作为主动层之晶圆直接地、或经由绝缘薄膜键合至作为支撑基板之晶圆的步骤；使所形成的键合晶圆受到热处理以增加键合强度的步骤；藉由特定方法将键合晶圆中作为主动层之晶圆的部份移除至预定位置，而不会曝露氧离子植入层的步骤；曝露氧离子植入层的整个表面的步骤；以及移除曝露出的氧离子植入层以得到特定厚度之主动层的步骤，其中曝露氧离子植入层的整个表面的步骤是藉由特定条件下的乾式蚀刻来加以实现。 |
