发明名称 |
有机薄膜电晶体之制备方法以及有机薄膜电晶体之闸极介电层表面处理方法 |
摘要 |
本发明系关于一种有机薄膜电晶体之制备方法,包括:(S1)形成闸极于基板上;(S2)形成闸极介电层;(S3)提供气体于闸极介电层表面上,使闸极介电层表面吸附具疏水性之分子;以及(S4)形成有机半导体层、源极、以及汲极于表面吸附有具疏水性分子之闸极介电层表面;其中,气体系至少一选自由:经卤素取代之烃类、非经取代之烃类、及其混合所组成之群组。本发明之有机薄膜电晶体之制备方法利用含碳或含氟之气体分子进行表面处理,提高介电层表面之疏水性,进而提升有机元件的电特性。此外,本发明亦关于一种闸极介电层表面处理方法。 |
申请公布号 |
TWI394305 |
申请公布日期 |
2013.04.21 |
申请号 |
TW098134109 |
申请日期 |
2009.10.08 |
申请人 |
国立清华大学 新竹市光复路2段101号 |
发明人 |
周政伟;冉晓雯;黄振昌;王中桦;蔡立轩;王文杰 |
分类号 |
H01L51/40 |
主分类号 |
H01L51/40 |
代理机构 |
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代理人 |
吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼;林志鸿 台北市松山区敦化北路102号9楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市光复路2段101号 |