半导体发光二极体及其制造方法

摘要

一种半导体发光二极体(10)，包含：至少一p-掺杂之发光二极体层(4)，一n-掺杂之发光二极体层(2)、以及一光学活性区(3)，其介于该p-掺杂之发光二极体层(4)和该n-掺杂之发光二极体层(2)之间；一由透明之导电氧化物所构成的氧化物层(8)；以及至少一镜面层(9)。该氧化物层(8)被配置在该些发光二极体层(2，4)和至少一镜面层(9)之间，且具有一第一界面(8a)，其面向发光二极体层(2，4)；以及一第二界面(8b)，其面向该至少一镜面层(9)。该氧化物层(8)之第二界面(8b)所具有的粗糙度(R2)小于该氧化物层(8)之第一界面(8a)之粗糙度。