| 摘要 |
本发明系即使对半导体薄膜施行充分之加热，且在热源扫描之往程或返程中任一方施行退火，也不会发生特性误差。薄膜电晶体系包含作为预备加热层之闸极电极11、及一部分以平面形状重叠于闸极电极11之薄膜半导体层13d。作为预备加热层之闸极电极11系包含平面形状，该平面形状系与薄膜半导体层13d重叠之第1区域R1以外之部分(第2区域R2)，以正交于一方向(X轴方向)之方向(Y轴方向)的轴为境界而呈现线对称者。在此种平面形状中，在扫描于X轴方向之热源之往程与返程中，对于形成有电晶体通道之第1区域R1之预备加热方法系大致相同，故电晶体特性之均一性增高。 |
