| 摘要 |
一些具体实施例包括形成半导体构造之方法，其中一半导体材料侧壁系沿一开口，一保护性有机材料系在至少一半导体材料表面上，且该半导体材料侧壁及保护性有机材料两者系曝露至一使用至少一含氟组成物之蚀刻。该蚀刻系相对于该有机材料选择该半导体材料，且沿该半导体材料侧壁减少至少一突出之锐度。在一些具体实施例中，该开口系一穿过晶圆开口，且后续制程形成在此穿过晶圆开口内之一或多个材料，以形成一穿过晶圆互连。在一些具体实施例中，该开口延伸至一感测器阵列，且在感测器阵列上之微透镜系统包含该保护性有机材料。其后制程可形成一横跨该开口的微距镜头结构。 |
