发明名称 |
目标材料、源、极紫外线微影装置及使用该微影装置之器件制造方法 |
摘要 |
本发明揭示一种目标材料,该目标材料经组态以用于经建构及配置以产生具有在一6.8奈米范围内之一波长之一辐射光束的一源中。该目标材料包括:一Gd基组合物,该Gd基组合物经组态以修改Gd之一熔融温度;或Tb;或一Tb基组合物,该Tb基组合物经组态以降低Tb之一熔融温度。 |
申请公布号 |
TWI394491 |
申请公布日期 |
2013.04.21 |
申请号 |
TW098107787 |
申请日期 |
2009.03.10 |
申请人 |
ASML荷兰公司 荷兰 |
发明人 |
可瑞森 法狄米尔 米哈罗维兹;白尼 凡丁 叶弗真叶米希;柏利克 阿诺 詹;依法诺 法拉帝莫 维塔拉维屈;卡士李 康士坦汀 尼可拉威屈;姆尔斯 乔汉斯 哈伯特 乔瑟夫纳;查利洛夫 瑟给;葛鲁许柯夫 丹尼斯 |
分类号 |
H05G2/00;G03F7/20 |
主分类号 |
H05G2/00 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
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地址 |
荷兰 |