相变化记忆体

摘要

本发明系揭露一种相变化记忆体，以及该相变化记忆体之制作方法。该相变化记忆体系包含一字元线、一相变化元件、复数个加热件以及复数条位元线，其中该相变化元件系分别与该字元线以及该等加热件电连接，且各该加热件系分别与一相对应之该位元线电连接。