| 摘要 |
一种半导体元件之制作方法，包括：提供一基底，包括一阵列区和一周边区；形成一图形化之硬式罩幕层于基底上；以图形化之硬式罩幕层为罩幕，蚀刻基底，形成复数个沟槽于基底中；形成一旋转涂布介电层于基底上，并填入沟槽中；进行一第一研磨制程，移除超过图形化之硬式罩幕层表面之部份旋转涂布介电层；形成一图案化光阻，覆盖部份阵列区之旋转涂布介电层；进行一第一回蚀刻制程，蚀刻未被图案化光阻覆盖之周边区的旋转涂布介电层；移除图案化光阻；进行一第二回蚀刻制程，回蚀刻阵列区和周边区沟槽中之旋转涂布介电层；形成一高密度电浆介电层，于沟槽中之旋转涂布介电层上；及进行一第二研磨制程，移除超过图形化之硬式罩幕层表面之部份高密度电浆介电层，形成复数个浅沟槽隔离结构。 |
