半导体功率元件及于半导体基底上形成半导体功率元件的方法

摘要

本发明系揭露一种半导体功率元件，其系位于一半导体基底，半导体基底系包括复数深沟槽。深沟槽中填入一磊晶层以形成一顶部磊晶层，顶部磊晶层掩盖住深沟槽的顶部表面，且覆盖住半导体基底。半导体功率元件更包括复数电晶体单元，其系位于顶部磊晶层，其中半导体功率元件的元件功能，其系取决于深沟槽的深度，而并非顶部磊晶层的厚度。每一个电晶体单元包括一沟槽双重扩散金氧半场效电晶体元件(DMOS)电晶体单元，沟槽DMOS电晶体单元包括沟槽闸极，沟槽闸极朝顶部磊晶层的方向穿过顶部磊晶层，并于沟槽闸极中填入闸极介电材料。