| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zum Erzeugen eines Halbleiterkristalls angegeben. Das Verfahren umfasst Schritte: zum Vorbereiten eines länglichen Behälters (1) mit einem Impfkristall (8) und einer Schmelze (9) mit einer darin enthaltenen Verunreinigung, die in einem unteren Abschnitt (1b) platziert sind, und mit einem Aufhängungsteil (2), der in einem oberen Abschnitt (1a) angeordnet ist und an dem ein tropfender Rohmaterialblock (11) aus einem Halbleitermaterial mit einer Verunreinigungskonzentration, die geringer als diejenige der Schmelze (9) mit der darin enthaltenen Verunreinigung ist, aufgehängt wird; zum Erzeugen eines Temperaturgradienten in der Längsrichtung des länglichen Behälters (1), um den tropfenden Rohmaterialblock (11) zu schmelzen; und zum Verfestigen des Schmelze mit der darin enthaltenen Verunreinigung (9) von der Seite, die in Kontakt mit dem Impfkristall (8) ist, während eine erzeugte Schmelze (13) in die Schmelze (9) mit einer darin enthaltenen Verunreinigung tropft, um einen Halbleiterkristall (12) zu erzeugen.</p> |
