Leistungshalbleiterdiode, IGBT, und Verfahren für ihre Herstellung

摘要

Es wird eine Leistungshalbleiterdiode geschaffen. Die Leistungshalbleiterdiode umfasst ein Halbleitersubstrat (110) mit einer ersten Emitterregion (130) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer zweiten Emitterregion (120) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einer Driftregion (140) des ersten Leitfähigkeitstyps, die zwischen der ersten Emitterregion (130) und der zweiten Emitterregion (120) angeordnet ist. Die Driftregion (140) bildet mit der zweiten Emitterregion (120) einen pn-Übergang. Eine erste Emittermetallisierung (151) ist mit der ersten Emitterregion (130) in Kontakt. Die erste Emitterregion (130) umfasst eine erste Dotierungsregion (131) des ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Dotierungsregion (132) des ersten Leitfähigkeitstyps. Die erste Dotierungsregion (131) bildet mit der ersten Emittermetallisierung (151) einen ohmschen Kontakt, während die zweite Dotierungsregion (132) mit der ersten Emittermetallisierung (151) einen nicht-ohmschen Kontakt bildet. Eine zweite Emittermetallisierung (152) ist mit der zweiten Emitterregion (120) in Kontakt.