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Vorrichtung (400, 500), die Folgendes umfasst: einen ersten Transistor (420; 510, 520) mit einem Steg und einen zweiten Transistor (330) mit einem Steg, wobei der Steg des ersten Transistors (420; 510, 520) eine niedrigere Ladungsträgermobilität als der Steg des zweiten Transistors (330) aufweist, wobei ein Kanal in dem Steg des ersten Transistors (420; 510, 520) dotiert ist und ein Kanal in dem Steg des zweiten Transistors (330) undatiert oder mit einer Konzentration dotiert ist, die wesentlich kleiner ist als eine Konzentration eines Dotierstoffs des ersten Transistors (420; 510, 520), und wobei der Kanal des ersten Transistors (420; 510, 520) mit einem ersten Dotierstoff einer ersten Polarität dotiert ist und mit einem zweiten Dotierstoff einer der ersten Polarität entgegengesetzten zweiten Polarität mit einem Verhältnis von etwa 1:1 gegendotiert ist.
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