KRISTALLINER SILICIUMBLOCK UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG

摘要

Es werden ein kristalliner Siliciumblock und ein Verfahren zu seiner Herstellung zur Verfügung gestellt. Unter Verwendung einer kristallinen Siliciumsaatschicht wird der kristalline Siliciumblock mittels eines Verfahrens für die gerichtete Erstarrung ausgebildet. Die kristalline Siliciumsaatschicht ist aus mehreren primären Einkristall-Siliciumsaaten und mehreren sekundären Einkristall-Siliciumsaaten gebildet. Jede der primären Einkristall-Siliciumsaaten weist eine erste Kristallorientierung auf, die von (100) verschieden ist. Jede der sekundären Einkristall-Siliciumsaaten weist eine zweite Kristallorientierung auf, die von der ersten Kristallorientierung verschieden ist. Jede der primären Einkristall-Siliciumsaaten ist zu mindestens einer der sekundären Einkristall-Siliciumsaaten benachbart und von den anderen der primären Einkristall-Siliciumsaaten separat.