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<p>Strahlenwandler (1) mit einer direkt konvertierenden Halbleiterschicht (2) aus einem CdTe-, CdZnTe-, CdZnTeSe-, CdZnTeSe- oder einem GaAs-Halbleitermaterial, wobei die Halbleiterschicht (2) Körner (3) aufweist, deren Grenzflächen (4) zumindest zu einem überwiegenden Teil parallel zu einer durch ein elektrisches Feld erzwungenen Driftrichtung (5) von in der Halbleiterschicht (2) freigesetzten Elektronen verlaufen, wobei die Halbleiterschicht (2) auf einer Saatschicht (6) angeordnet ist, welche aus einem CdTe-, CdZnTe-, CdZnTeSe- oder einem CdMnTeSe-Halbleitermaterial hergestellt ist.</p> |
