堆迭封装构造

摘要

本发明公开一种堆迭封装构造包含一上封装体，一下封装体及一导热介面层，所述上封装体包含一上基板及一上晶片，所述上基板包含一第一图案化金属层，所述图案化金属层包含第一导热区域，所述上晶片设置在所述上基板且电性连接所述上基板，所述下封装体包含一下基板、数个电性连接元件及一下晶片，所述下基板通过所述电性连接元件电性连接所述上基板，所述下晶片设置在所述下基板上且所述下晶片与所述下基板电性连接。所述导热介面层结合在所述上基板的第一导热区域与所述下晶片之间；通过所述封装构造中的第一导热区域及导热介面层，有助于热传导并增加热交换的面积，进而提高晶片的散热效率。

主权项

一种堆迭封装构造，其特征在于：所述堆迭封装构造包含：一上封装体，包含一上基板及一上晶片，所述上基板包含一上表面、一背对所述上表面的下表面及一设置在所述下表面的第一图案化金属层，所述图案化金属层包含第一导热区域，所述上晶片设置在所述上基板的上表面且电性连接所述上基板；一下封装体，包含一下基板、数个电性连接元件及一下晶片，所述下基板通过所述电性连接元件电性连接所述上基板，所述下晶片包含第一表面及背对第一表面的第二表面，所述下晶片设置在所述下基板上且所述下晶片的第一表面与所述下基板电性连接；及一导热介面层，结合在所述上基板的第一导热区域与所述下晶片的第二表面之间。