一种半导体纳米晶/量子点敏化的晶硅材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体纳米晶/量子点敏化的晶硅材料，由下列重量份配比的物质组成：硫化物1-100份；金属盐1-100份；溶剂100-500份；晶硅材料(硅电池片)。采用连续离子吸附反应结合滴涂、旋涂、浸渍提拉技术直接在晶硅材料上生长量子点。本发明的优点是：1.制备工艺简单，金属硫化物量子点长期稳定。2.可以大幅提高硅太阳能电池光电转化效率；3.本发明的制备工艺简单易操作，原料价廉易得，反应过程低能耗、高效益，适合工业化生产。

主权项

一种半导体纳米晶/量子点敏化的晶硅材料，其特征在于：由下列重量份配比的物质组成：硫化物 1‑100份；金属盐 1‑100份；溶剂 100‑500份；晶硅材料。所述的硫化物为硫化钠、硫化铵、硫代乙酰胺、硫脲和硫代硫酸盐中的一种；所述的金属盐为铅、铋、锑、镉、银、锡、锌和铜的金属氯化物、醋酸盐和硝酸盐中的一种；所述的溶剂为水、醇类、烷类、烯类、油胺、油酸和其他有机溶剂中的一种；所述的晶硅材料为单晶硅、多晶硅与非晶硅中的一种。