发明名称 |
薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法以及显示装置 |
摘要 |
以高的制造效率提供导通电流大、且抑制了截止电流的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管具备:栅极电极;微晶硅层,其包含微晶硅,具有与基板面平行的上面和下面以及被上面和下面隔着的端面;第一接触层和第二接触层,其包含杂质,形成为分别与微晶硅层相接;源极电极,其形成为与第一接触层相接;以及漏极电极,其形成为与第二接触层相接,第一接触层和第二接触层中的至少一方不与微晶硅层的上面和下面相接而仅与端面相接。 |
申请公布号 |
CN101861642B |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN200880116108.X |
申请日期 |
2008.11.10 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
守口正生;齐藤裕一;希达亚特·奇斯达琼奴 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京市隆安律师事务所 11323 |
代理人 |
权鲜枝 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,具备包含微晶硅的半导体层,其特征在于:具备:栅极电极;微晶硅层,其包含微晶硅,具有与基板面平行的上面和下面以及被上述上面和下面夹着的端面;第一接触层和第二接触层,其包含杂质;源极电极,其形成为与上述第一接触层相接;以及漏极电极,其形成为与上述第二接触层相接,上述微晶硅层包括与基板面垂直地生长的柱状晶体,上述第一接触层和第二接触层中的至少一方不与上述微晶硅层的上述上面和下面相接而仅与上述端面相接,上述柱状晶体的与基板面平行的剖切面中的直径在5nm以上30nm以下。 |
地址 |
日本大阪府 |