| 发明名称 | 具有阈值电压设定掺杂剂结构的先进晶体管 | ||
| 摘要 | 一种具有阈值电压设定掺杂剂结构的先进晶体管，包括具有长度Lg的栅极和掺杂为具有第一掺杂剂浓度的阱。屏蔽区域定位在所述阱与所述栅极之间且具有大于5×1018个掺杂剂原子/cm3的第二掺杂剂浓度。阈值电压设定区域由设置定位在所述屏蔽区域上方的阈值电压偏移平面形成。所述阈值电压设定区域可以由德尔塔掺杂形成且具有介于Lg/5与Lg/1之间的厚度。所述结构使用最小的晕环注入或不使用晕环注入来将沟道掺杂剂浓度保持在小于5×1017个掺杂剂原子/cm3。 | ||
| 申请公布号 | CN103053025A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201180035832.1 | 申请日期 | 2011.06.21 |
| 申请人 | 苏沃塔公司 | 发明人 | L·希弗伦;P·拉纳德;L·斯卡德;S·E·汤普森 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 舒雄文;王英 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管结构，包括：阱，掺杂为具有第一掺杂剂浓度；屏蔽层，与所述阱接触，并且具有大于5×1018个掺杂剂原子/cm3的第二掺杂剂浓度；以及均厚层，包括外延生长在所述屏蔽层上的不同掺杂的沟道层和阈值电压设定层，其中所述阈值电压设定层至少部分地通过设置阈值电压偏移平面形成，且所述阈值电压偏移平面定位在屏蔽区域上方且与所述屏蔽区域分离。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||