| 发明名称 | 一种开放式自屏蔽磁共振成像分裂式超导磁体系统 | ||
| 摘要 | 一种开放式自屏蔽磁共振成像分裂式超导磁体系统。所述的超导磁体系统中，超导主线圈、超导矫正线圈(4)和超导屏蔽线圈(5)安装在左低温容器(1)和右低温容器(2)中；分裂式匀场铁片(11)、分裂式室温匀场线圈(12)、分裂式梯度线圈(13)安装在超导磁体系统的室温孔内关于对称平面正对称的三个圆柱面上。超导主线圈、超导矫正线圈(4)和超导屏蔽线圈(5)共同产生中心磁场强度为0.7T的磁场，并在中心直径为50cm的球形成像区域(15)内产生磁场峰峰值不均匀度为10ppm的磁场分布，5高斯杂散场在轴向和径向方向分别限制在3.5m和4.0m椭球范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN103050212A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201310007021.1 | 申请日期 | 2013.01.09 |
| 申请人 | 中国科学院电工研究所 | 发明人 | 倪志鹏;王秋良;严陆光 |
| 分类号 | H01F6/00(2006.01)I;H01F6/04(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;G01R33/3815(2006.01)I | 主分类号 | H01F6/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人 | 关玲 |
| 主权项 | 一种开放式自屏蔽磁共振成像分裂式超导磁体系统，其特征在于所述的分裂式超导磁体系统由超导主线圈、超导矫正线圈(4)、超导屏蔽线圈(5)、分裂式匀场铁片(11)、分裂式室温匀场线圈(12)、分裂式梯度线圈(13)、左低温容器(1)和右低温容器(2)组成；所述的超导主线圈、超导矫正线圈(4)和超导屏蔽线圈(5)安装在左低温容器(1)和右低温容器(2)中；分裂式匀场铁片(11)、分裂式室温匀场线圈(12)、分裂式梯度线圈(13)安装在超导磁体系统的室温孔内关于对称平面正对称的三个圆柱面上。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村北二条6号 | ||