一种放电回路以及一种放电回路保护方法

摘要

本发明公开了一种放电回路，包括：M组MOSFET；每组中包括：两个互相连接且互为反向的MOSFET，其中一个MOSFET进一步与电源相连，另一个MOSFET进一步与电池相连；当电源对电池进行充电，且电源的电压大于电池的电压时，每组中的一个MOSFET内部的二极管导通，另一个MOSFET内部的二极管未导通，阻止形成从电源到电池方向的灌电流；当电源对电池进行充电，且电源的电压小于电池的电压时，每组中的一个MOSFET内部的二极管导通，另一个MOSFET内部的二极管未导通，阻止形成从电池到电源方向的灌电流。本发明同时公开了一种放电回路保护方法。应用本发明所述方案，能够避免形成从电池到电源方向以及从电源到电池方向的灌电流。

主权项

一种放电回路，其特征在于，包括：M组金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，M为正整数；其中，每组中包括：两个互相连接且互为反向的MOSFET，其中一个MOSFET进一步与电源相连，另一个MOSFET进一步与电池相连；当所述电源对所述电池进行充电，且所述电源的电压大于所述电池的电压时，每组中的一个MOSFET内部的二极管导通，另一个MOSFET内部的二极管未导通，阻止形成从所述电源到所述电池方向的灌电流；当所述电源对所述电池进行充电，且所述电源的电压小于所述电池的电压时，每组中的一个MOSFET内部的二极管导通，另一个MOSFET内部的二极管未导通，阻止形成从所述电池到所述电源方向的灌电流。