发明名称 用于开关电源中的软启动电路
摘要 本发明公开了一种用于开关电源中的软启动电路,包括基准电流模块、电流镜模块、一开关、一电容、一比较器、基准电压模块以及第一PMOS开关晶体管和第二PMOS开关晶体管。其中,开关在上电前将电容的电位拉到地,上电后基准电流模块通过电流镜模块给电容的上极板充电。当电容的上极板的电位小于基准电压时,比较器输出低电平,第一PMOS开关晶体管导通,电路的输出端为电容的上极板的电位;当电容的上极板的电位大于基准电压时,比较器输出高电平,第二PMOS开关晶体管导通,电路的输出端为基准电压。本发明能消除电流过冲现象,使芯片不受损坏,软启动效果好,且电路结构简单,节省芯片面积。
申请公布号 CN103051166A 申请公布日期 2013.04.17
申请号 CN201110307575.4 申请日期 2011.10.12
申请人 上海华虹集成电路有限责任公司 发明人 葛佳乐;周斐
分类号 H02M1/36(2007.01)I 主分类号 H02M1/36(2007.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 戴广志
主权项 一种用于开关电源中的软启动电路,其特征在于,包括:一由第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管组成的电流镜模块,第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的源极接电源,第二NMOS晶体管的漏极和栅极以及第一NMOS晶体管的栅极与基准电流模块相连接;第一NMOS晶体管的漏极与一开关的一端和一电容的上极板相连接;所述开关的另一端和所述电容的下极板接地;一比较器,其反相输入端与基准电压模块相连接;其正相输入端与第一NMOS晶体管的漏极及第一PMOS开关晶体管的源极相连接;该比较器输出端与第一反相器的输入端相连接;第一PMOS开关晶体管的栅极与第一反相器的输出端相连接,该第一PMOS开关晶体管的漏极与第二PMOS开关晶体管的源极相连接,并作为电路的输出端;一第二反相器的输入端与第一反相器的输出端相连接;该第二反相器的输出端与第二PMOS开关晶体管的栅极相连接;该第二PMOS开关晶体管的漏极与所述基准电压模块相连接。
地址 201203 上海市浦东新区张江碧波路572弄39号